Vishay發(fā)布2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出2010年的"Super 12"高性能產(chǎn)品。這些系列器件具有業(yè)內(nèi)領先的標準,如容值電壓、電流等級和導通電阻。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010/進行展示,是很多關鍵應用的理想選擇,也是Vishay廣泛的產(chǎn)品線組合的典型代表產(chǎn)品。
2010年將要發(fā)布的Super 12產(chǎn)品是:
- 597D和T97多模鉭電容:對于+28V應用,工業(yè)級的597D和Hi-Rel COTS T97D系列是業(yè)內(nèi)首批75V額定電壓的鉭電容。這些器件具有業(yè)內(nèi)較高的容值-電壓,從4V電壓的1500μF到75V電壓的15μF,可節(jié)省PCB空間,同時低至15mΩ的超低ESR提高了設計效率。
- MKP 1848聚丙烯薄膜電容:對于直流應用,MKP 1848電容的額定容值為1μF~400μF,有2個或4個引腳用于PCB安裝(MKP 1848),額定容值為60μF~400μF的器件采用總線條,用于直接IGBT安裝(MKP 1848 PCP)。
- IHLP?-6767功率電感:IHLP-6767器件是目前額定電流較高的SMD功率電感。器件的尺寸為4.0mm x 7.0mm,電流可達100A,感值為100μH,還具有優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性。
- WSMS和WSBS高功率分流電阻:WSMS功率計分流電阻和WSBS車用電池分流電阻具有50μΩ~500μΩ的極低阻值,2908、3124和5515外形尺寸電阻的功率為3W,8518尺寸的功率達36W。器件的全焊接結構使器件可以在大于400A的連續(xù)電流下工作。
- LPS平板厚膜電阻:LPS系列采用緊湊的57mm x 60mm的外形尺寸,功率耗散達800W,重量為83g。器件的絕緣強度達12kVRMS,阻值范圍為0.3Ω~900kΩ。
- 無磁MLCC:這些MLCC電容采用無磁材料制造,采用多種組裝方式,包括導電樹脂和紅外回流焊組裝。器件具有各種尺寸、電壓等級和容值,采用了貴金屬和濕法制造工藝,以達到高可靠性。
- 第三代TrenchFET? P溝道MOSFET:這種較新一代的P溝道硅技術使器件實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)較佳的導通電阻標準,如采用PowerPAK? SO-8封裝的導通電阻為1.9mΩ。第三代TrenchFET P溝道MOSFET的rDS(on)只有市場上較接近器件的一半,用更低的傳導損耗實現(xiàn)了更高的效率,使采用電池的應用在兩次充電之間的時間更長。這種MOSFET還提供完整的封裝選項,包括1.6mm x 1.6mm的PowerPAK SC-75封裝。
- 20A的第5代肖特基二極管20WT04FN:20WT04FN是業(yè)界首款采用D-PAK封裝的20A、40V二極管。該器件的工作溫度可高達+175℃,在20A、+125℃下的較大正向電壓降為0.530V,在45V、+125℃下的較大反向漏電流為7mA。
- MSS1P2U和MSS1P3U eSMPTM SMD肖特基勢壘整流器:MSS1P2U和MSS1P3U MicroSMP整流器具有高電流密度,在0.4V電壓下具有0.35V的超低正向電壓降,典型厚度為0.68mm。
- VO3120和VO3150A IGBT/MOSFET驅動器:這些2.5A和0.5A的驅動器的供電電壓范圍為15V~32V,工作溫度范圍為+40℃~+110℃。
- SiC769 DrMOS 6x6:SiC769集成式MOSFET和驅動IC方案具有業(yè)內(nèi)較佳的功率密度,可用于主流的多相Vcore應用。新器件完全符合針對高功率CPU系統(tǒng)中電壓調整器(VR)的DrMOS標準,工作頻率可達1MHz。
- 第9代Super JunctionTM FET MOSFET:Vishay的22A、600V Super Junction FET MOSFET具有低至0.19Ω(較大)的導通電阻,改善了導通電阻與柵極電荷的乘積,即優(yōu)值(FOM)。
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http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010。
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